Composants électroniques en stock, acheter en ligne, mémoire MT53E768M16D1ZW-046 WT:C TR
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
-Type de mémoire
768 million x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
12 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
768 million x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
12 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 000 - 4 999 pièce
3,53 €
>= 5 000 pièce
1,77 €
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MT53E768M16D1ZW 046 WT : C TR
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