





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-














