Composants électroniques en stock, acheter en ligne, 71V416S10BEG 48 TFBGA Mémoire
Note de la boutique :5.0
(2 avis)
Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré (CI)
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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71V416S10BEG
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