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Composants électroniques en stock, acheter des composants électroniques en ligne, MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR 556 LFBGA Mémoire

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≥5 000 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

128Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 128GBIT PAR 556LFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
128Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 128GBIT PAR 556LFBGA
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 95°C (TC)
Package/Boîte
556-LFBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Tension D'alimentation
1.06V ~ 1.17V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
2G x 64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
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