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Composants électroniques en stock, acheter en ligne des transistors PowerFlat HV STL17N65M5

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Caractéristiques

Référence fabricant

STL17N65M5

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerFlat (8x8) HV

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PowerFlat (8x8) HV
Description
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Référence fabricant
STL17N65M5
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
MDmesh V
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1,8 A (Ta), 10 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
374 mOhms à 5,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
816 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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