Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock EDF8132A3MA-JD-F-R TR
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
SDRAM - LPDDR3 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:933 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
933 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 000 - 4 999 pièce
3,50 €
>= 5 000 pièce
1,75 €
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EDF8132A3MA JD FR TR
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