





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Organisation de la mémoire:16Gx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-














