Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock MT62F4G32D8DV-023 FAAT:C TR
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
-Type de mémoire
4Gx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
4Gx32
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
128 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
-
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MT62F4G32D8DV 023 FAAT : TR
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