Composants électroniques en stock BOM IC MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR 200 WFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 000 - 4 999 pièce
4,70 €
>= 5 000 pièce
2,36 €
Options
SélectionnerSpécification
MT53B256M32D1DS 062 AAT : TR
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