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Composants électroniques en stock BOM IC IPB034N06L3GATMA1 PG-TO263-3 Transistors

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100-3 099 pièce
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Caractéristiques

Référence fabricant

IPB034N06L3GATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-TO263-3
Description
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Référence fabricant
IPB034N06L3GATMA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
90A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3,4 mOhms à 90 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 93 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13 000 pF à 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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