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Référence fabricant

DMP21D0UFD-7

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

X1-DFN1212-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMP21D0UFD-7
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
X1-DFN1212-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
820mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
495 mOhms à 800 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
80 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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