Composants électroniques BOM IC en stock, puces électroniques MT41K512M8RH-125 M:E TR 78 TFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM-DDR3LTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDR3L
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge
800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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MT41K512M8RH 125 M : TR
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