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Composants électroniques BOM IC en stock, puces électroniques MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR 24 TBGA Mémoire

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Attributs

FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
2Gx1Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:83 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2Gx1
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
83 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3 099 pièce
0,4698 €
>= 3 100 pièce
0,2349 €

Spécification

MT29F2G01ABAGD12 INFORMATIQUE : G TR

Expédition

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