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Composants électroniques en stock BOM IC, puces NVMFWS6D2N08XT1G 5-DFNW, transistors

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Référence fabricant

NVMFWS6D2N08XT1G

Marque nom

Original

Description

T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE

Point d'origine

China

Package/Boîte

5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVMFWS6D2N08XT1G
Marque nom
Original
Description
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Point d'origine
China
Package/Boîte
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
71A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,2 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 75 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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