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Référence fabricant

N3T080MP120D

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC 1200 V, 80 m, TO-247-

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-3L

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
N3T080MP120D
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC 1200 V, 80 m, TO-247-
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-3L
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
1200
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
38A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mOhms à 15 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
896 pF @ 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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