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Composants électroniques en stock, puces BOM IC, transistors APTM100H45SCTG SP4

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Référence fabricant

APTM100H45SCTG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP4

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTM100H45SCTG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP4
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
POWER MOS 7
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
357W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000V (1kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
540 mOhms à 9 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
154nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4350pF à 25V
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
4 canaux N (pont complet)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs