Composants de circuits électroniques BOM IC en stock W66CP2NQQAGJ TR 200 TFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
128 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL11
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL11
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
1,81 €
>= 5 500 pièce
0,9052 €
Options
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W66CP2NQQAGJ TR
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