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Composants électroniques en stock BOM IC NVMFWS005N10MCLT1G 5-DFNW Transistors

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1,74 €
100-3 099 pièce
0,8696 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NVMFWS005N10MCLT1G

Marque nom

Original

Description

PTNG 100V LL SO8FL

Point d'origine

China

Package/Boîte

5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Référence fabricant
NVMFWS005N10MCLT1G
Marque nom
Original
Description
PTNG 100V LL SO8FL
Point d'origine
China
Package/Boîte
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,1 mOhms à 34 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 192µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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