Composant électronique BOM IC en stock NLQ26PFS-8NIT TR 200 WFBGA Mémoire
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
128Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Mx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Fréquence de l'horloge
1,2 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Interface mémoire
LVSTL
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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NLQ26PFS 8NIT TR
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