





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 Gbits (NAND), 1 Gbit (LPDRAM)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, LPDRAM mobile
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:128 Mo x 16 (NAND), 64 Mo x 16 (LPDRAM)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle














