Composant électronique BOM IC en stock AS4C8M16D1-5TCN 66 TSSOP Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
8M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3099 pièce
0,5095 €
>= 3100 pièce
0,2548 €
Options
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AS4C8M16D15TCN
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