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Composant électronique BOM IC en stock W66BQ2NQQAGJ 200 TFBGA Mémoire

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Attributs

SDRAM - LPDDR4X mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64Mx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL06

Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL06

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
144 - 3 143 pièce
1,82 €
>= 3 144 pièce
0,9095 €

Spécification

W66BQ2NQQAGJ

Expédition

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