Composant électronique BOM IC en stock W66BQ2NQQAGJ 200 TFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM - LPDDR4X mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64Mx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL06
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,867 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL06
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
144 - 3 143 pièce
1,82 €
>= 3 144 pièce
0,9095 €
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W66BQ2NQQAGJ
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