Composant électronique BOM IC en stock MT47H32M16NF-25E AAT:H TR 84 TFBGA Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques en ligneCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Organisation de la mémoire
32Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 1999 pièce
2,52 €
>= 2000 pièce
1,70 €
Options
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MT47H32M16NF 25E AAT : H TR
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