Composant électronique BOM IC en stock IS43DR16640B-3DBI 84 TFBGA Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques en ligneCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:333 MHz
Organisation de la mémoire:64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Organisation de la mémoire
64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4677 €
>= 3 100 pièce
0,2339 €
Options
SélectionnerSpécification
IS43DR16640B3DBI
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