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Composant électronique BOM IC en stock, transistors BSS670S2LH6327XTSA1 PG-SOT23

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Caractéristiques

Référence fabricant

BSS670S2LH6327XTSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-SOT23

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSS670S2LH6327XTSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-SOT23
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
540mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
650 mOhms à 270 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 2.7µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2,26 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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