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Composant électronique BOM IC en stock SQJ570EP-T1_BE3 PowerPAK SO-8 Transistors doubles

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Caractéristiques

Référence fabricant

SQJ570EP-T1_BE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK SO-8 Dual

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SQJ570EP-T1_BE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK SO-8 Dual
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
27W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
45 mΩ à 6 A, 10 V, 146 mΩ à 6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V, 20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600pF à 25V, 650pF à 25V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs