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Composant électronique BOM IC en stock, Transistors IPC218N06N3X1SA2 sur feuille de métal

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Référence fabricant

IPC218N06N3X1SA2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 3A DÉCOUPE SUR FEUILLE

Point d'origine

China

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Découpé sur film

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPC218N06N3X1SA2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 3A DÉCOUPE SUR FEUILLE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Découpé sur film
Température de fonctionnement
-
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mOhms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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