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Composant électronique BOM IC en stock FDC642P-F085P TSOT-23-6 Transistors

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Référence fabricant

FDC642P-F085P

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6

Point d'origine

China

Package/Boîte

TSOT-23-6

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FDC642P-F085P
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Point d'origine
China
Package/Boîte
TSOT-23-6
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
PowerTrench
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
65 mOhms à 4 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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