Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock IDT71V67703S75PF8 100 LQFP
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDRTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
9 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge:117 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx36
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
9 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge
117 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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IDT71V67703S75P8
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