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Composants électroniques Transistors BOM IC en stock IXFY36N20X3 TO-252AA

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100-3 099 pièce
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Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IXFY36N20X3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252AA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXFY36N20X3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252AA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HiPerFET, Ultra X3
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
36A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
45 mOhms à 18 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 500 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1425 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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