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Composants électroniques de circuit mémoire BOM IC en stock M29F040B70N1T TR 32 TFSOP

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1 500-4 499 pièce
1,23 €
≥4 500 pièce

Spécification

M29F040B70N1T TR traduction

Caractéristiques

Type

Composant et pièce

Taille de La mémoire

4 Mbits

Point d'origine

China

Type de conditionnement

Bande et bobine (TR)

Application

Mémoire

Caractéristiques

Composant électronique

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Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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