Composants électroniques de circuit mémoire BOM IC en stock MB85RS4MTYPF-G-BCE1 8 SOlC
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
512Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:50 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
50 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
4,29 €
>= 3 001 pièce
2,15 €
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MB85RS4MTYPF GBC1
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