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Composants électroniques en stock : Transistors MCGD10NP03-TP 8-PowerVDFN, puces électroniques BOM IC

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Référence fabricant

MCGD10NP03-TP

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 30V 10A DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerVDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MCGD10NP03-TP
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 30V 10A DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
21W (Tj)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
10A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
17 mΩ à 10 A, 10 V, 40 mΩ à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC à 10 V, 16 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
873pF à 15V, 888pF à 15V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs