Composants électroniques en stock : Circuit intégré MT40A1G8SA-062E IT:R TR 78 TFBGA Mémoire – Achetez en ligne
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Organisation de la mémoire:1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Organisation de la mémoire
1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
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