Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock MT41K512M4HX-187E:D 78 TFBGA
Note de la boutique :5.0
(1 avis)
Attributs
SDRAM-DDR3LTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDR3L
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 4
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,283 V ~ 1,45 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
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0.100 kg
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MT41K512M4HX187E:D
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