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Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock MT55L1MY18PT-6 100 LQFP

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Attributs

SRAM - Asynchrone, ZBTTechnologie
volatileType de mémoire
1M18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:En vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Technologie
SRAM - Asynchrone, ZBT
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1M18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
15 - 3 014 pièce
8,98 €
>= 3 015 pièce
4,49 €

Spécification

MT55L1MY18PT6

Expédition

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