Composants électroniques BOM IC en stock, mémoire 165 TBGA IDT71P73604S250BQ
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Attributs
SRAM-DDR2Technologie
volatileType de mémoire
512Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM-DDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx36
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
136 - 3 135 pièce
9,25 €
>= 3 136 pièce
4,63 €
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IDT71P73604S250BQ
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