Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:MMC
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
