Composant électronique BOM IC en stock, mémoire 178 VFBGA W63AH2NBVACI TR
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Attributs
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR3 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:933 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:HSUL12
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
933 MHz
Organisation de la mémoire
32Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
HSUL12
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 000 - 4 999 pièce
1,52 €
>= 5 000 pièce
0,7577 €
Options
SélectionnerSpécification
W63AH2NVAUTI TR
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