Composant électronique BOM IC en stock, mémoire 200 TFBGA MT53E256M16D1FW-046 AUT:B
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Attributs
SDRAM - LPDDR4X mobileTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Boîte
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Boîte
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5569 €
>= 3 100 pièce
0,2785 €
Options
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MT53E256M16D1FW 046 AUT :B
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