Composants électroniques de circuit BOM IC en stock, mémoire 200 WFBGA MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
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Attributs
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5544 €
>= 3 100 pièce
0,2772 €
Options
SélectionnerSpécification
MT53D512M32D2NP 046 AUT ES : TR
Expédition
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