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Composants électroniques de circuit intégré BOM IC en stock, mémoire 200 TFBGA W66CP2NQQAFJ TR

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

W66CP2NQQAFJ TR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

4Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
W66CP2NQQAFJ TR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
4Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TC)
Package/Boîte
200-TFBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Organisation de la mémoire
128M x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18ns
Interface mémoire
LVSTL_11
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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