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Composants électroniques BOM IC en stock Mémoire 200 TFBGA MT53E512M32D2FW-046 AUT:D

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1 360-4 359 pièce
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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

MT53E512M32D2FW-046 AUT:D

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

16Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
16Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Type de conditionnement
En vrac
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TC)
Package/Boîte
200-TFBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Tension D'alimentation
1.06V ~ 1.17V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
512M x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs