





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle














