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Composants électroniques BOM IC en stock, mémoire 44 TSOP MR256A08BCYS35R

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
256 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1500 - 4499 pièce
3,30 €
>= 4500 pièce
1,65 €

Expédition

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