Composants électroniques de puces mémoire BOM IC en stock 63 TFBGA MT47H512M8WTR-25E:C
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
512 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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100 - 3 099 pièce
0,4682 €
>= 3 100 pièce
0,2341 €
Options
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MT47H512M8WTR25E : C
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