Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DIMM - DDR3
Tension D'alimentation:1,425 V ~ 1,575 V
Fréquence de l'horloge:667 MHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
