Composants électroniques de puces mémoire BOM IC en stock 84 TFBGA AS4C128M16D2A-25BANTR
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
128Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:SSTL18
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Mx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
SSTL18
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
4,91 €
>= 5 500 pièce
2,46 €
Options
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AS4C128M16D2A 25BAN
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