Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:1,2 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
