Composants électroniques en stock : Mémoire BOM IC 96 TFBGA MT41K256M16TW-107 AIT:P TR – Achetez en ligne
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Attributs
SDRAM-DDR3LTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:933 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDR3L
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge
933 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MT41K256M16TW 107 AIT : P TR
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